SK海力士颁布发表开发HBM3存储器：12-Hi仓库24GB容量 带宽819GB/s

SK 海力士刚刚颁布发表了 HBM3 DRAM 存储器的最新开发停顿，可知新一代内存尺度不只带来了更高的带宽，还可通过垂曲堆叠来增加容量。从去年 7 月量产 HBM2E 内存起头，该公司就已经在动手 HBM3 新品的研发。跟着今日的通知布告，我们得知 SK 海力士将带来两款衍生型号。

除了基于 8-Hi 仓库的 16GB SKU，SK 海力士还方案推出由 2GB DRAM 构成 12-Hi 仓库的 24GB SKU，此外该公司提到其已将 DRAM 芯片的层高缩减至 30 μm 。

负责 DRAM 开发的施行副总裁 Seon-yong Cha 暗示：

自推出全球首款 HBM DRAM 以来，SK 海力士在引领 HBM2E 市场之后，又胜利开发了业内首款 HBM3 DRAM 。

我们将继续勤奋稳固本身在高端内存市场的指导地位，并通过供给契合 ESG 办理尺度的产物，来帮忙提拔客户们的价值。

性能方面，SK 海力士估计其 HBM3 DRAM 的每个仓库可供给 819 GB/s 的带宽，较 460 GB/s 的上一代 HBM2E DRAM 提拔了 78% 。

以英伟达 A100 加速卡为例，若在其 GPU 基板上整合 6 个 HBM2E DRAM 仓库，总带宽可冲击 5 TB/s 。然而当前的产物，仅受限于 2.0 TB/s 。

此外若是利用 24GB 的 HBM3 DRAM 芯片，其理论总容量可到达 144 GB 。即便考虑到 5 / 6 的良率，也还有 120GB 可用。

WCCFTech 揣测，英伟达 Ampere 和 AMD CDNA 2 的继任者（Ampere Next 与 CDNA 3），有望率先接纳 HBM3 内存。

那样来年的高性能数据中心和机器进修平台，将极大地受益于此。早些时候，Synopsys 还颁布发表其正在增加具有 HBM3 IP 和验证处理计划的多芯片架构设想。

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